IPS60R650CE
1个N沟道 耐压:600V 电流:9.9A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPS60R650CE
- 商品编号
- C537277
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,2.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 82W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@100V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS 是一项针对高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE 是一个经过性价比优化的平台，能在满足最高效率标准的同时，适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时不影响使用便捷性，且拥有市场上最佳的成本降低与性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤素模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 例如 PC 主机、适配器、LCD 与 PDP 电视以及室内照明等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。