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IPP80P03P4L-04
OptiMOs-P2功率晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。AEC认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色封装（符合RoHS标准）。100%雪崩测试。适用于反向电池保护
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP80P03P4L-04
- 商品编号
- C537256
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 137W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |