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IPP60R099C7
IPP60R099C7
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R099C7
- 商品编号
- C537192
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.819nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 641pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。 600V CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。 600V C7 是首款导通电阻（RDS(on)）与芯片面积（A）乘积低于 1 欧姆·平方毫米的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关(PFC 和高性能 LLC)
- 将 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性提升至 120V/ns
- 凭借同类最佳的品质因数(FOM)——导通电阻(RDS(on))与输出电容能量(Eoss)乘积以及导通电阻(RDS(on))与栅极电荷(Qg)乘积,提高了效率
- 同类最佳的导通电阻(RDS(on))/封装
- 依据 JEDEC(J - STD20 和 JESD22)标准,适用于工业级应用
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的 PFC 级和 PWM 级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域。