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IPP50R190CE
1个N沟道 耐压:550V 电流:24.8A
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- 描述
- CoolMOS是一项应用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE系列融合了领先超结MOSFET供应商的经验与卓越创新，与目标应用中的标准MOSFET相比，具有成本优势。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不影响其易用性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP50R190CE
- 商品编号
- C537176
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.814克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@13V,6.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 152W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.2nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 251pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE系列融合了领先SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新，相较于目标应用中的标准MOSFET，是一种更具成本吸引力的选择。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。
商品特性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
- 符合JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）级、硬开关PWM级和谐振开关PWM级，例如用于电脑主机、液晶和等离子电视以及照明设备。