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IPP60R060C7
600V CoolMOS C7功率晶体管
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- 描述
- CoolMOS C7是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。600V C7是首款RDS(on)×A低于1Ohm×mm的技术。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R060C7
- 商品编号
- C537186
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 162W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.05nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
CoolMOS™ C7是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。 600V CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。 600V C7是首款导通电阻RDS(on)与芯片面积A的乘积低于1Ω·mm²的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)
- 将MOSFET的dv/dt抗扰度提高至120V/ns
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg提升效率
- 同类最佳的导通电阻RDS(on)/封装
- 通过JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用认证
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。