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IPP60R199CP
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- 特性：最低品质因数 Rₒₙ × Qg。超低栅极电荷。极高 dv/dt 额定值。高峰值电流能力。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。应用：服务器和电信的硬开关拓扑
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R199CP
- 商品编号
- C537211
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 199mΩ@10V,9.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.52nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低品质因数 RON × Qg
- 超低栅极电荷
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高脉冲电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
应用领域
- 适用于服务器和电信领域的硬开关拓扑