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IPP65R045C7
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。产品组合提供了快速开关超结MOSFET的所有优势，具有更高的效率、更低的栅极电荷、易于实现和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP65R045C7
- 商品编号
- C537225
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,24.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.34nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.63nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。 CoolMOS C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，可提高效率、降低栅极电荷、易于应用且可靠性出众。
商品特性
- 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg，实现更高效率
- 同类最佳的RDS(on)/封装
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 符合JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用标准
应用领域
- 例如，用于计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域的PFC级和硬开关PWM级。