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IPP60R070CFD7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP60R070CFD7

1个N沟道 耐压:600V 电流:20A

描述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断性能,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合,同时在设计过程中易于实现
商品型号
IPP60R070CFD7
商品编号
C537188
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V,15.1A
属性参数值
耗散功率(Pd)156W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
输入电容(Ciss)2.721nF@400V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中具备最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合,且在设计导入过程中易于实现。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更低温。

商品特性

~~- 超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF