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IPP60R040C7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP60R040C7

1个N沟道 耐压:600V 电流:50A

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商品型号
IPP60R040C7
商品编号
C537185
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)73A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)227W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)107nC@10V
输入电容(Ciss)4.34nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。 600V CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。 600V C7 是首款导通电阻 RDS(on)与芯片面积 A 的乘积低于 1Ω·mm²的技术。

商品特性

  • 适用于硬开关和软开关(PFC 和高性能 LLC)
  • 将 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性提高至 120V/ns
  • 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 提高效率
  • 同类最佳的导通电阻 RDS(on)/封装
  • 通过 JEDEC(J-STD20 和 JESD22)工业级应用认证

应用领域

  • 高功率/高性能开关电源(SMPS)的 PFC 级和 PWM 级(TTF、LLC),例如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域。

数据手册PDF