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IPP120N20NFD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP120N20NFD

1个N沟道 耐压:200V 电流:84A

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描述
特性:N 通道,正常电平。 快速二极管 (FD),降低 Qₘ。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅,符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
商品型号
IPP120N20NFD
商品编号
C537163
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.799克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)84A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V,84A
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)87nC@10V
输入电容(Ciss)6.65nF@100V
反向传输电容(Crss)13pF@100V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 具备低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)
  • 针对硬换向耐用性进行优化
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 工作温度可达175°C
  • 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
  • 针对目标应用通过JEDEC认证
  • 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求

数据手册PDF