温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 304pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 根据IEC61249-2-21标准无卤化