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IPP114N12N3 G
1个N沟道 耐压:120V
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度175°C。 无铅镀铅；符合RoHS标准；无卤。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP114N12N3 G
- 商品编号
- C537157
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.4mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 408pF |
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