温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP084N06L3 G
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 针对 DC/DC 转换器优化了技术。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 N 沟道，逻辑电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP084N06L3 G
- 商品编号
- C537147
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.0474克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单