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IPP062NE7N3 G
1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
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- 描述
- 特性：优化同步整流技术。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 出色的栅极电荷×R_D(S(on))乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准，无卤素。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP062NE7N3 G
- 商品编号
- C537143
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9314克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 同步整流优化技术
- 适用于高频开关和 DC/DC 转换器
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道,常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准,无卤素
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证