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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的 800V CoolMOS P7 系列为 800V 超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这源于超 18 年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数 RDS(on) * Eoss;降低 Qg、Ciss 和 Coss
- 一流的 DPAK RDS(on)
- 一流的 3V V(GS)th 和最小 ±0.5V 的 V(GS)th 变化
- 集成齐纳二极管 ESD 保护
- 完全符合 JEDEC 工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- LED 照明的硬开关和软开关反激拓扑结构
- 低功率充电器和适配器
- 音频
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费应用中的 PFC 级
- 太阳能中的 PFC 级