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IPP023NE7N3 G
适用于同步整流的优化技术MOS功率晶体管，适用于高频开关和DC/DC转换器，低导通电阻，N沟道
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP023NE7N3 G
- 商品编号
- C537115
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 10.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.42nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 针对同步整流优化的技术
- 非常适合高频开关和 DC/DC 转换器
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道,常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准,无卤素
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证