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IPP048N04N G
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP048N04N G
- 商品编号
- C537132
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.0068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,70A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF |
优惠活动
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