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IPP039N04L G
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 无铅镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP039N04L G
- 商品编号
- C537127
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 用于开关电源(SMPS)的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流(DC/DC)转换器优化的技术
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤