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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 980pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流器(sync. rec.)
- 经过100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品