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IPP023N04N G
1个N沟道 耐压:40V
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- 描述
- 特性：MOSFET用于或非门和不间断电源。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道。正常电平。超低导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。无铅镀层;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP023N04N G
- 商品编号
- C537112
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.0624克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品特性
- 用于ORing和不间断电源的MOSFET
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- N沟道
- 正常电平
- 超低导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤