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IPP023N10N5
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 特性：N沟道，针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻，可在175℃工作温度下使用。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 按照JEDC11标准进行认证，适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP023N10N5
- 商品编号
- C537114
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 168nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性完美结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新。
商品特性
- N沟道,常电平
- 针对FOMoss优化
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度 175℃
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 非常适合高频开关和同步整流
应用领域
-用于LED照明的硬开关和软开关反激拓扑-低功率充电器和适配器-音频-辅助电源-工业电源-消费类应用中的功率因数校正级-太阳能