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IPN60R2K0PFD7S
IPN60R2K0PFD7S
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R2K0PFD7S
- 商品编号
- C537081
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 134pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 由于极低的品质因数 RDS(on) * Qg 和 RDS(on) * Eoss,损耗极低
- 开关损耗 E\text oss 低,热性能出色
- 快速体二极管 -RDS(ON)和封装类型丰富多样
- 集成齐纳二极管
应用领域
- 用于高密度充电器的零电压开关(ZVS)拓扑
- 适配器
- 照明
- 电机驱动应用