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IPN65R1K5CE
1个N沟道 耐压:650V 电流:5.2A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN65R1K5CE
- 商品编号
- C537088
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，能够针对消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性，并且提供了市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 照明