温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPN60R600PFD7S
耐压:650V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ PFD7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R600PFD7S
- 商品编号
- C537087
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,1.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 344pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单