温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPLK80R900P7
IPLK80R900P7
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 最新的 800V 系列在 800V 超结技术领域树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，源于英飞凌超过 18 年的超结技术创新。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPLK80R900P7
- 商品编号
- C537067
- 商品封装
- ThinPAK5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 770mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于超18年的超结技术开创性创新。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss；降低Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的V(GS)th为3V，且V(GS)th变化最小，仅为±0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 推荐用于低功率充电器和适配器的硬开关和软开关反激拓扑。