IPN50R650CE
IPN50R650CE
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN50R650CE
- 商品编号
- C537074
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@13V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@13V | |
| 输入电容(Ciss) | 342pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE 是一个经过性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，且不牺牲易用性，还提供了市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 符合标准等级应用要求
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 照明