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IPL65R340CFD

IPL65R340CFD

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商品型号
IPL65R340CFD
商品编号
C537050
商品封装
VSON-4-EP(8.1x8.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.30625克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)6.9A
导通电阻(RDS(on))340mΩ@10V
耗散功率(Pd)104.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时还提供极快速且耐用的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的耐用性相结合,使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。 ThinPAK是用于高压MOSFET的新型无引脚表面贴装封装。这种新封装的占位面积非常小,仅为64mm²(相比之下,D²PAK为150mm²),且外形非常低矮,高度仅为1mm(相比之下,D²PAK为4.4mm)。显著更小的封装尺寸与业界领先的低寄生电感相结合,为设计师在追求功率密度的设计中提供了一种新的有效方法来减小系统解决方案的尺寸。

商品特性

  • 减少电路板空间占用
  • 提高功率密度
  • 短换相回路
  • 平滑的开关波形
  • 超快体二极管
  • 极高的换相耐用性
  • 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
  • 易于使用/驱动
  • 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)工业级应用标准
  • 无铅镀层,无卤模塑料

应用领域

  • 电脑主机
  • 液晶电视
  • 照明
  • 服务器
  • 电信

数据手册PDF