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IPLK60R600PFD7
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 描述
- CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolIMOS PFD7是一个优化平台，适用于消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，具有出色的性价比和易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPLK60R600PFD7
- 商品编号
- C537055
- 商品封装
- ThinPAK(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 517mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.08mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 344pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 x 漏源导通电阻 (RDS(on)) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的漏源导通电阻 (RDS(on))
- N 沟道，标准电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅电镀；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤