IPL65R210CFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:16.6A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL65R210CFD
- 商品编号
- C537048
- 商品封装
- VSON-4-EP(8.1x8.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.30625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时拥有极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换流和传导损耗与高鲁棒性相结合，使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。 ThinPAK是一种用于高压MOSFET的新型无引脚SMD封装。这种新封装的占位面积仅为64mm²（相比之下，D²PAK为150mm²），且高度仅为1mm（D²PAK为4.4mm），非常轻薄。显著减小的封装尺寸与极低的寄生电感相结合，为设计师在追求功率密度的设计中提供了一种新的有效方法来减小系统解决方案的尺寸。
商品特性
- 减少电路板空间占用
- 提高功率密度
- 短换流回路
- 平滑的开关波形
- 超快体二极管
- 极高的换流鲁棒性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
- 易于使用/驱动
- 符合JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准
- 无铅电镀,无卤模塑料
应用领域
-电脑主机-液晶电视-照明-服务器-电信