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IPL65R070C7
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、降低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL65R070C7
- 商品编号
- C537041
- 商品封装
- VSON-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.264克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 169W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施且具有出色的可靠性。
商品特性
- 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg,实现更高的效率
- ThinPAK表面贴装封装,寄生电感极低,可实现快速可靠的开关,尺寸最小化以提高功率密度
- 由于设有驱动源极引脚,便于更好地控制栅极,易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)标准,适用于工业级应用
应用领域
- 用于例如计算机、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能等领域的功率因数校正(PFC)级和硬开关脉宽调制(PWM)级。