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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPL65R1K0C6S

IPL65R1K0C6S

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商品型号
IPL65R1K0C6S
商品编号
C537046
商品封装
TSON-8-EP(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)2.7A
导通电阻(RDS(on))1Ω@10V,1.5A
耗散功率(Pd)34.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)328pF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术,基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。所提供的器件在不牺牲易用性的前提下,具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低的损耗
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 符合JEDEC(J-STD20和JESD22)标准的工业级应用要求

应用领域

  • 用于如PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关PWM级。

数据手册PDF