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IPL60R210P6实物图
  • IPL60R210P6商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPL60R210P6

IPL60R210P6

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商品型号
IPL60R210P6
商品编号
C537033
商品封装
VSON-4-EP(8.1x8.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.30625克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)12.1A
导通电阻(RDS(on))210mΩ@10V,7.6A
耗散功率(Pd)151W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)37nC@10V
输入电容(Ciss)1.75nF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ P6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。

商品特性

  • 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
  • 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 根据 JEDEC(J - STD20 和 JESD22)标准,适用于工业级应用

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关 PWM 级
  • 谐振开关级,例如用于 PC 电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

数据手册PDF