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IPL65R165CFD
IPL65R165CFD
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL65R165CFD
- 商品编号
- C537044
- 商品封装
- VSON-4-EP(8.1x8.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.30625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换流和导通损耗，再加上极高的坚固性，使得该器件特别适用于谐振开关应用，可提高可靠性、效率，减轻重量并降低温度。
商品特性
- 减少电路板空间占用
- 提高功率密度
- 短换流回路
- 平滑的开关波形
- 超快体二极管
- 极高的换流鲁棒性
- 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低损耗
- 易于使用/驱动
- 符合JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准
- 无铅镀层,无卤模塑料
应用领域
-电脑主机-液晶电视-照明-服务器-电信