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IPL60R160CFD7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPL60R160CFD7

IPL60R160CFD7

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
IPL60R160CFD7
商品编号
C537026
商品封装
VSON-4-EP(8.1x8.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.30625克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V,6.8A
耗散功率(Pd)95W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)31nC@10V
输入电容(Ciss)1.33nF@400V
反向传输电容(Crss)453pF@400V
工作温度-40℃~+150℃
配置-

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势,同时具备出色的硬换流鲁棒性,且在设计导入过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。

商品特性

~~- 超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt鲁棒性-最低的品质因数RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Eoss-SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF