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IGT60R190D1S
1个N沟道 耐压:600V 电流:12.5A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGT60R190D1S
- 商品编号
- C536085
- 商品封装
- HSOF-8-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 55.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 157pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 增强型晶体管 – 常关开关
- 超快速开关
- 无反向恢复电荷
- 具备反向导通能力
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 卓越的换向耐用性
- 符合JEDEC标准等级应用要求
- 提高系统效率
- 提高功率密度
- 支持更高工作频率
- 节省系统成本
- 降低电磁干扰
应用领域
-基于半桥拓扑的消费类开关电源和高密度充电器(用于硬开关和软开关的半桥拓扑,如图腾柱PFC、高频LLC和反激式)