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IPA041N04N G
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 特性：针对 DC/DC 转换器优化的技术。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA041N04N G
- 商品编号
- C536311
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V,70A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- N 沟道，常电平
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤