IPA083N10NM5S
IPA083N10NM5S
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA083N10NM5S
- 商品编号
- C536321
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- N沟道,常电平
- 经过100%雪崩测试
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤