IPA60R099C7
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA60R099C7
- 商品编号
- C536343
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V,9.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.819nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 641pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流创新。600V C7 是首款导通电阻（RDS(on)）与芯片面积（A）乘积低于 1 欧姆·平方毫米的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关（PFC 和高性能 LLC）
- 将 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性提升至 120V/ns
- 凭借一流的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 提高效率
- 一流的导通电阻（RDS(on)）/封装比
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源（SMPS）的 PFC 级和 PWM 级（TTF、LLC），如计算机、服务器、电信、不间断电源（UPS）和太阳能领域。