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IPA60R120P7
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- CoolMOs TM 第七代平台是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOsTM P7 系列是 CoolMOS TM P6 系列的换代产品。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA60R120P7
- 商品编号
- C536347
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.544nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 524pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性以及优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于出色的换向耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性出色,>2kV(HBM)
- 低RDS(on)A(低于1Ωmm2)使得与竞品相比,具有更好的RDS(on)/封装产品
应用领域
- 用于PC主机、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。