温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPA60R190P6
600V CoolMOS P6功率晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA60R190P6
- 商品编号
- C536362
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 171mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.63mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。
商品特性
- 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，实现极低损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 符合JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）级
- 硬开关脉宽调制（PWM）级
- 谐振开关级，例如用于电脑主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）