温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最低的品质因数 RON x Qg
- 超低栅极电荷
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高脉冲电流能力
- 符合 JEDEC 工业级应用标准
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准；无卤模塑料
应用领域
- 硬开关开关电源（SMPS）拓扑结构