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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 349pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。600V C7 是首款导通电阻 RDS(on)与芯片面积 A 的乘积低于 1Ω·mm²的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关（PFC 和高性能 LLC）
- 将 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性提升至 120V/ns
- 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 提高效率
- 同类最佳的导通电阻 RDS(on)/封装
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源（SMPS）的 PFC 级和 PWM 级（TTF、LLC），如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域。