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IPA60R600E6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA60R600E6

1个N沟道 耐压:600V 电流:7.3A

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商品型号
IPA60R600E6
商品编号
C536385
商品封装
TO-220FP-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)28W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)20.5nC@10V
输入电容(Ciss)440pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ 是一项应用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ E6 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。该系列器件在不牺牲易用性的前提下,具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 极低的 FOM(Rdson*Qg 和 Eoss)带来极低的损耗
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 通过 JEDEC 认证,无铅电镀,无卤(TO - 252 封装除外)

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关 PWM 级
  • 谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

数据手册PDF