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IPA65R045C7
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA65R045C7
- 商品编号
- C536393
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.63nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，提供更高效率、更低栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
商品特性
-增强MOSFET的dv/dt鲁棒性-凭借一流的品质因数RDS(ON)*Eoss和RDS(ON)*Qg实现更高效率-每封装一流的RDS(ON)-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料
应用领域
-例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域的PFC级和硬开关PWM级。