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IPA65R660CFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA65R660CFD
- 商品编号
- C536412
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 594mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 615pF@100v | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS™ CFD2 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的坚固性相结合，使谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更好。
商品特性
~~- 超快体二极管-极高的换相耐用性-由于极低的品质因数 Rdson*QG 和 Eoss,损耗极低-易于使用/驱动-完全符合 JEDEC 工业应用标准-无铅电镀,采用无卤模塑料
应用领域
- 650V CoolMOS™ CFD2 特别适用于谐振开关 PWM 级，例如 PC 银盒、液晶电视、照明、服务器、电信和太阳能领域。