IPAN60R360P7S
IPAN60R360P7S
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPAN60R360P7S
- 商品编号
- C536442
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 555pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 214pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时具有出色的鲁棒性以及卓越的ESD能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑，且发热更低。
商品特性
- 由于出色的换向鲁棒性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关损耗和传导损耗
- 所有产品的ESD鲁棒性极佳，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1Ohmmm²），与竞品相比，RDS(on)/封装产品更优
应用领域
- 用于如PC主机、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等设备的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。