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IPAW60R180P7S
耐压:650V 电流:53A
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- 描述
- CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时具有出色的稳健性以及出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPAW60R180P7S
- 商品编号
- C536456
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,5.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.081nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的后续产品。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及卓越的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于出色的换相耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性极佳，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1欧姆平方毫米）使产品的RDS(on)/封装优于竞品
- 产品符合JEDEC标准进行验证
应用领域
- 用于如PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。