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IPB017N10N5
IPB017N10N5
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB017N10N5
- 商品编号
- C536479
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 168nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.6nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 导通电阻 RDS(on) 极低
- N 沟道，标准电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤