IPB019N06L3 G
IPB019N06L3 G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB019N06L3 G
- 商品编号
- C536480
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷与导通电阻 RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道、逻辑电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 符合 IEC61249-2-21 标准的无卤产品