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IPB020N10N5LF
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻 RDS(on)。 宽安全工作区 SOA。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB020N10N5LF
- 商品编号
- C536484
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 313W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 非常适合热插拔和电子保险丝应用
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 宽安全工作区(SOA)
- N沟道,常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤